11月6日，存储芯片再传利好，$ 科创半导体 ETF(588170) 跳空高开，继续反弹走势，盘中收复20日均线。

从消息面来看，11月全球半导体行业接连发生两件大事：一是三星、SK海力士和美光这三大存储芯片巨头突然暂停DDR5内存芯片的报价，现货价格一周内飙升25%；二是韩国半导体巨头SK海力士与英伟达就明年HBM4供应达成协议，单价约560美元，较业内预期高10%以上。随着AI基础设施投资热潮推高需求，其HBM业务明年有望增长40%-50%，以三星电子、SK海力士和美光科技、希捷科技为首的内存芯片制造商或迎来业绩爆发式增长。

这两件事看似无关，实则共同揭示了一个深层趋势：AI正在彻底重塑半导体产业链的价值分配逻辑，而存储、制造、封测三大环节正进入一轮“涨价—生产—国产替代”紧密联动的新周期。

那么，AI是如何把存储、制造和封测这三个环节串起来的？从目前市场轮动的逻辑来看，可以总结为：AI先拉动“算力”，再引爆“存力”，最后传导到“封力”。

资料来源：天风证券

那么，AI带来的这波需求到底有多大？能持续多久？

据TrendForce等机构数据，2025年全球AI服务器出货量预计同比增长24.3%，而DDR5内存的出货量（按数据量计算）增长约25%。不仅如此，AI PC、智能汽车、边缘计算设备等终端也在快速普及，它们同样需要高性能存储和先进芯片。这意味着，需求不是短期泡沫，而是结构性增长。

至于存储芯片价格能涨到什么时候？多数机构认为，至少持续到2026年。原因有三：一是AI硬件部署才刚开始，2025年以来，随着用户规模扩大和模型演进等带来token消耗急速增加，数据存储需求攀升。同时，供给端在过去两年未建设新产能并严格控制稼动率，导致供给端难以跟上需求端的爆发式成长。

二是通常，在半导体制造领域，由于较难立即应对新技术产品需求的爆发式增长，因此容易出现库存过少或过多的情况。存储芯片的周期性更为明显，尤其是DRAM厂商在景气时期业绩实现大幅提升；在景气低迷时期面临深刻的利润赤字。此次，存储厂商主动控产保价，不愿重蹈过去“产能过剩—价格崩盘”的覆辙。比如美光在2024年Q4明确表示“不再以市占率为优先目标”， 而是聚焦可持续盈利。

存储芯片市场波动大于半导体整体市场波动

资料来源：野村国际证券

三是目前渠道和终端库存健康，没有积压风险。截至2025年Q3，全球DRAM渠道库存周转天数约为5.2周，低于近五年均值（6.5周）；NAND库存约6.8周，亦处于合理区间（数据来源：TrendForce）。终端客户（如云服务商、服务器厂商）因担心断供，普遍采取“小批量、高频次”采购策略，进一步强化了现货市场的紧张情绪。尤其对于DDR5模组和HBM等高端产品，由于技术壁垒高、认证周期长（通常6–12个月），客户难以快速切换供应商，议价权明显向原厂倾斜，使得“量价齐升”成为常态。

在这样的背景下，中国半导体产业的机会在哪里？

第一，成熟制程迎来战略窗口。头部大厂把资源向先进制程倾斜，成熟制程产能反而相对释放。而汽车电子、工业控制、电源管理、物联网等大量应用仍依赖成熟制程。本土代工厂正好在这一领域有深厚积累，有望承接全球转移的订单。

第二，半导体设备和材料国产化加速。只要生产，都需要大量刻蚀机、薄膜沉积设备、检测仪器，以及硅片、光刻胶、特种气体等材料。过去这些高度依赖进口，如今在政策支持和供应链安全驱动下，国内设备厂商正从“能用”迈向“好用”，进入放量阶段。

第三，封测环节成为本土突破口。先进封装是AI芯片和HBM的“最后一公里”，技术门槛高但中国已有布局。一些国内企业已具备2.5D/3D封装能力，未来有望成为国产AI芯片和存储芯片的核心合作伙伴。

总结来看，当前半导体行业正经历一场由AI驱动的系统性重构。

对投资而言，关键不是追逐概念，而是聚焦那些“有真实订单、有实际产能、有核心技术”的企业。这轮行情不是短期炒作，而是AI时代下，中国半导体产业链从“跟跑”转向“并跑”甚至“局部领跑”的历史性机遇。当然，技术演进和国际竞争充满变数，具体企业能否兑现预期，还需持续跟踪验证。

对于普通投资者，同样面临一个选择：是直接布局存储芯片个股，还是通过ETF工具？存储芯片个股的波动性通常非常大，业绩受产品价格周期的影响极深，投资难度很高。而通过像芯片ETF或者科创半导体ETF这样的工具，就可以一键布局整个半导体产业链的龙头公司。

比如，芯片ETF（159995）它跟踪国证芯片指数，覆盖了从材料、设备、设计到制造封测的全产业链30家龙头，其中就包含了存储芯片和相关环节的公司。

而科创半导体ETF（588170）则更聚焦于科创板的半导体设备和材料龙头，这些都是国产替代的核心环节。通过ETF投资，能够更好地分散风险，更平稳地把握整个产业的发展趋势。