2025年11月5日，截至收盘，沪指涨0.23%，报收3969.25点；深成指涨0.37%，报收13223.56点；创业板指涨1.03%，报收3166.23点。科创半导体ETF（588170）跌0.14%，半导体材料ETF（562590）跌0.92%。

隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.48%；纳斯达克综合指数涨0.65%；标准普尔500种股票指数涨0.37%。费城半导体指数涨3.02%，恩智浦半导体涨2.94%，美光科技涨8.93%，ARM跌0.34%，应用材料涨4.61%，微芯科技涨2.18%。

行业资讯：

1. 消息面上，韩国半导体巨头SK海力士与英伟达就明年HBM4供应达成协议，单价约560美元，较业内预期高10%以上。随着AI基础设施投资热潮推高需求，其HBM业务明年有望增长40%-50%，以三星电子、SK海力士和美光科技、希捷科技为首的内存芯片制造商或迎来业绩爆发式增长。

2. 今年前三季度，六成以上上市公司盈利同比增长，32家公司实现盈利至少翻倍增长，主要分布在分立器件、模拟芯片和数字芯片设计领域。其中，闻泰科技以近298亿元营收位列前三季度营业收入规模最高公司，北方华创成为实现归母净利润最高公司，达到51.3亿元。

3. 根据半导体产业协会（SIA）数据，第三季度整体销售额达2084亿美元，较前一季度增长15.8%，9月环比更录得7%的持续动能。协会指出，逻辑和存储芯片表现尤为突出，需求增长主要集中在亚太地区与美洲市场。

国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增18%-23%，含HBM的整体DRAM价格环增23%-28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%-10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（61%）和半导体材料（23%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体材料ETF（562590）及其联接基金（A类：020356、C类：020357），指数中半导体设备（61%）、半导体材料（21%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。

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