三星取得半导体存储器件专利，该半导体存储器件包括在基板上的多个存储单元
发布时间：2024-4-2 17:50阅读：73
金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“，授权公告号CN111244094B，申请日期为2019年9月。
专利摘要显示，公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在基板上的多个存储单元，每个存储单元包括存取晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管；第一线层，在存储单元上并包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；第二线层，在第一线层上并包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及包括字线的第三线层，在第二线层上。接地线通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。
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