制造环节:中芯国际 14nm 量产,接近台积电 2015 年水平,7nm 研发中;设备 / 材料:北方华创的薄膜沉积设备、沪硅产业的 300mm 硅片实现国产替代,但高端光刻机仍依赖进口;设计环节:寒武纪的 AI 芯片、澜起科技的内存接口芯片达国际主流水平。
发布于2025-6-19 13:24 郑州
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