我国正在积极打造基于IDM模式的存储器厂商，完善存储产业的布局。目前的第三代3D NAND技术成本依然偏高，想要达到成本上的平衡需要堆叠64层或以上。而云计算、大数据化的今天随着消费电子存储升级的需要，在存储器领域的需求将会越来越大，按照眼下NAND的缺货情况来估算，在武汉新芯投产之前，3D NAND芯片也会供应不足，预计2016年3D NAND将会占到全球NAND的20%，远超去年6%的水平。选择3D NAND作为我国存储器产业的突破口将使我国与国际一流厂商的技术差距缩减到5年以内，围绕整个存储器产业链条的并购和投资将会持续到2020年底，中国将会在全球的存储器产业中占据一席之地。

　　当前NAND Flash的投资逻辑 NAND Flash目前面临季节性供货不足的风险，由于3D NAND Flash制程导入不畅，2D NAND Flash新增产能和投资不足，而市场依旧以2D NAND Flash作为供货主流，导致的供货短缺情况不可避免，从国际一线厂商国内设厂来看，基于NAND Flash产业的上下游合作将会更加紧密，密切关注上下游产业链的投资机会。