长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破
发布时间:2026-4-17 10:57阅读:236
人民财讯4月17日电,4月17日,长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔(TGV)结构与光敏聚酰亚胺(PSPI)再布线(RDL)工艺的晶圆级射频集成无源器件(IPD)工艺验证,通过测试结构的试制与实测评估,公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势,为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。
温馨提示:投资有风险,选择需谨慎。
-
2026年券商APP月活榜:8家券商座次怎么排?选APP该看的3件事
2026-10-12 16:05
-
2026年可转债投资攻略:【可转债专题】帮你从入门到实操一站式搞定
2026-10-12 16:05
-
银证转账失败是什么原因?这4种情况最常见
2026-10-12 16:05



问一问
身份认证
分享该文章
