半导体板块大涨 工艺实现关键突破 未来芯片成本有望节约一半
发布时间：2021-7-21 10:55阅读：260
问一问7月21日，半导体及元件板块大涨，截至发稿，芯海科技涨停，国民技术（300077）涨超17%，敏芯股份涨超12%，综艺股份（600770）、康强电子（002119）、立昂微（605358）涨停，北京君正（300223）、北方华创（002371）、瑞芯微（603893）等个股纷纷跟涨。
据中国证券报报道，Institute of Microeletronics(IME)的研究人员近日实现了一项工艺突破，完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比，可以节省50%的成本，该技术可能会用于未来的CPU和GPU上，或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。
相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术，IME的这项新技术更进一步，通过TSV(硅通孔技术)成功粘合了四个独立的硅层，允许不同模具之间通信。这样的技术带来的好处是显而易见的，可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造。
传统提升芯片性能的工艺技术发展此前受到不少阻碍。英特尔在14nm工艺节点徘徊了很久，想进入10nm以下区域估计也要费不少周折。即便处于领先地位的台积电(TSMC)，近期也传出3nm工艺延期的消息。因此，半导体层的堆叠或许能成为未来芯片性能提升的新方式。
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