新型氮化镓基电子器件获突破，5G技术峰值速率超预期
发布时间：2020-5-19 13:15阅读：515
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据报道，科研人员研发出了一款名为“谐振隧穿二极管”的新型氮化镓基电子器件，其应用于5G技术峰值速率超越了预期。
研究人员表示：“氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率和输出功率都高，其速率快慢的关键在于采用了氮化镓材料。
”该氮化镓基“谐振隧穿二极管”打破了传统器件的电流输出与开关速率的纪录，能使应用程序（包括通信、联网与遥感）获取毫米波范围内的电磁波以及太赫兹频率。
相关公司方面，
海特高新：公司半导体业务将主要聚焦于射频芯片、电力电子以及光电方向，旗下海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，目前氮化镓已达到600片/月的晶圆制造能力。
三安光电：公司氮化镓产能约2000片每月，全资子公司三安集成拥有射频业务HBT、pHEMT代工工艺线。
赛微电子：GaN外延材料已有少量销售且仍在继续拓展市场，GaN器件已处于送样、验证阶段。
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