目前正在研发的HBM存储芯片的概念技术主要有以下几种:

1. HBM3: HBM3是高带宽内存的第三个版本，相比于之前的版本有更高的带宽和更高的容量。该技术还在研发阶段，预计未来几年会有厂商发布。

2. HBM-PIM: HBM-PIM（高带宽内存-处理器内存集成）是将计算功能集成到HBM存储芯片中的新技术。通过在HBM存储芯片中集成处理器核心，可以实现高效的数据处理和内存交互，提高系统性能。目前有关HBM-PIM的研究主要由研究机构和学术界进行，如麻省理工学院等。

3. Wide-IO: Wide-IO是一种集成在移动设备上的HBM存储技术。该技术可以提供高带宽和低功耗的内存解决方案，适用于移动设备和嵌入式系统。Wide-IO技术由JESD229标准组织推动，并得到了多个公司的支持，如三星、SK Hynix等。

4. HBM-EMIB: HBM-EMIB（高带宽内存-增强型多规格互连桥）是将HBM存储芯片与处理器之间的互连技术。通过使用EMIB技术，可以将高速信号传输集成到芯片封装中，提供高带宽和低延迟的连接。HBM-EMIB技术由Intel推动，已经应用于其一些产品中。

目前，对于这些概念技术的研发和应用，涉及到的公司有很多，如三星、SK Hynix、Micron、AMD、NVIDIA、Intel等。这些公司在HBM存储技术的研发和应用方面都有一定的经验和投入。