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光刻胶的原理基于光化学反应和显影过程。
光刻胶通常是一种分为两部分的化学物质：光敏剂（photosensitive agent）和聚合物基质（polymer matrix）。光敏剂是其中最关键的成分，它对特定波长的光具有敏感性，能够发生光化学反应。
光刻过程的步骤如下：
1. 涂覆：首先，在晶圆或基板表面上均匀涂覆光刻胶。通常使用旋涂（spin-coating）技术进行涂覆，形成一个薄而均匀的光刻胶层。
2. 预烘烤：涂覆后，通过加热将光刻胶预烘烤，以去除溶剂和使其更均匀地附着在基板上。
3. 曝光：经过预烘烤后，将光刻胶暴露在紫外线或其他特定波长的光源下。光敏剂对光的作用下发生化学反应，改变光刻胶的物化性质。暴露后的区域与未暴露区域的光刻胶具有不同的解理性质。
4. 显影：曝光后，使用显影液将光刻胶进行处理。显影液可选择性地溶解或移除被暴露区域或未暴露区域的光刻胶，从而形成所需的图案。这个步骤可以通过湿法显影或干法显影来完成。
5. 后续处理：经过显影后，还可能需要进行其他后续处理步骤，如蚀刻、沉积或离子注入等，以便在基板上形成所需的结构和电路。
总体而言，光刻胶的原理是通过光敏剂对特定波长的光作用下发生化学反应，改变光刻胶的物化性质，并通过显影过程选择性地移除或保留光刻胶，从而实现图案的转移和微纳米器件的制造。
发布于2023-9-14 06:27 苏州
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