全球芯片业近期巨额收购不断。

  9月14日，英伟达正式宣布拟400亿美元收购ARM，紧接着就传出AMD拟超300亿美元收购赛灵思。今日，去年7月卖掉芯片基带业务的英特尔，又要出售资产了。

  韩国SK海力士20日早间发布公告称，公司将支付90亿美元收购英特尔NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。

来源：SK海力士中文官网

  助推提升企业级SSD竞争力

  在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。此后，预计在2025年3月份最终交割时，SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产，包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。

  根据协议，英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造NAND晶圆，并保留制造和设计NAND闪存晶圆相关的知识产权(IP)，直至最终交割日。

  英特尔与SK海力士将共同合作以确保为客户、供应商以及全体员工提供无缝衔接的顺利过渡。两家公司将维持包括DDR5相关领域在内的紧密合作关系。

  SK海力士随后表示，通过本次收购，公司旨在急速成长的NAND闪存领域中提升包括企业级SSD在内的存储解决方案相关竞争力，进一步跃升为行业领先的全球半导体企业之一。这项交易将让SK海力士发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。

SK海力士今年5月以来股价走势

来源：公司官网

  集邦咨询认为，上述交易完成后，SK海力士在企业级SSD领域的竞争力将大幅跃升，后续要考虑的是如何在英特尔与SK海力士的不同产品架构之间取得平衡。预计SK海力士在取得英特尔产能以后，其NAND Flash市占将达20%以上，超越原先排名第二的铠侠，排名仅次于龙头三星。

  集邦咨询特别提醒，此次收购案仅限于3D NAND Flash相关技术与产能，并不包含近期相当受到市场关注的新兴存储器技术3D-XPoint。同时，目前英特尔仍坚持以Floating Gate为3D NAND Flash的主要生产结构，不同于SK海力士等其他厂商所采用的Charge Trap结构，在蚀刻的技术难度上有相当差异。

  市场竞争激烈英特尔“无心恋战”

  英特尔拥有业界领先的NAND SSD技术以及4阶储存单元NAND闪存产品线。今年上半年，NAND业务为英特尔非易失性存储器解决方案事业部创下了约28亿美元的营收，约6亿美元的利润。由此看来，NAND业务创收盈利能力不算差，英特尔为何选择卖掉它？

  中国闪存市场分析，出售主要基于两方面考虑：一方面，NAND Flash市场竞争激烈，英特尔早已“无心恋战”。与CPU不同，闪存芯片属于行业标准品，市场竞争压力极大。从目前来看，整个市场由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士以及英特尔六家原厂主导。英特尔虽榜上有名，但根据2020上半年NAND Flash市场份额排名，英特尔仅以11%的份额，居于六大国际存储原厂之末。

来源：中国闪存市场

  另一方面，出售存储制造厂后可以集中精力聚焦CPU业务，提升财报收益。2016年-2018年，英特尔非易失性存储解决方案业务分别亏损5.4亿美元、2.6亿美元、500万美元，直到2019年才开始盈利。除了持续不断的投入之外，存储市场行情更是起起伏伏，一旦遭遇行业逆风，大幅亏损不可避免。因此，在现任财务出身的CEO司睿博带领下，一向追求高利润的英特尔出售NAND Flash制造工厂，也就不难理解。

  业内分析，卖掉NAND业务之后，英特尔将更加专注于CPU业务，尤其是AI领域。SK海力士的新闻稿提到，“英特尔计划将本次交易获得的资金用于开发业界领先的产品和加强其具有长期成长潜力的业务重点，包括人工智能(AI)、5G网络与智能、自动驾驶相关边缘设备。”

  司睿博表示：“这次交易能让我们更加专注于投资具有差异化特点的技术，从而令我们在客户的成功中扮演更重要的角色，并且为投资者产出可观的回报。”

  存储器价格下降难以避免

  上半年受疫情影响，为保证产品交付或出于谨慎考虑，储存器原厂的下游客户加大备货力度，产品量价齐升。但下半年以来，下游需求不振已传导至上游原厂，产品价格下跌趋势不可避免。

  国科微副总裁康毅之前在接受中国证券报记者采访时表示：“需求确实差一些。今年前两个季度，云和笔记本作为主力需求基本已经消耗完。后两个季度，没有看到有很强的行业需求，其中游戏机会有一部分。需求减弱会带来一部分的价格回调，尤其是低端颗粒。”

  集邦咨询认为，即便第三季度有传统销售旺季与苹果新机备货加持，但受到上半年疫情冲击，终端销售库存堆积，NAND Flash价格平均跌幅将高达10%，加上供应端128层NAND Flash良率不断提升，第四季度供过于求市况态势将会加剧，预期NAND Flash均价跌幅将持续扩大。

  该机构分析师吴雅婷表示，预计DRAM的ASP在第三季度跌幅接近10%，第四季度跌幅会扩大至15%，下跌态势将维持至少三个季度。

  海外一家大型存储器原厂工作人员告诉中国证券报记者，存储器价格下跌不可避免，其中DRAM的下降力度将超过NAND Flash，但此轮调整周期不会持续太久。

  群智咨询移动事业部研究副总监张亚利认为，随着5G智能手机价格下沉至千元，拉动换机需求，明年一季度存储器价格有望止跌。