大家好啊，这轮AI硬件，尤其是全球存储芯片的股价暴跌，外围市场也在找原因，他们觉得，是长鑫科技的新技术引起的。

一起看看怎么回事。

10月13日，亚洲交易时间，三星电子、SK海力士股价暴跌。

到了晚上美股交易时间，存储芯片板块继续暴跌。

为何全球存储芯片板块暴跌？海外市场认为，是长鑫科技的新技术引发的抛售催化。

消息面上，第四届集成芯片和芯粒大会于‌10月9日至10日‌在上海举行，长鑫科技总裁曹堪宇在大会上发表演讲，全面介绍长鑫科技在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫科技表示，公司在新架构研发方面取得了突破，该架构能够通过在更小空间内存储更多数据，提高存储芯片的密度。

该新设计采用“4F平方”（4F²）技术，可以提高存储密度。SK海力士也正在推进类似技术，并曾在2025年公布相关研发路线图。

分析人士普遍认为，在最先进存储技术领域，长鑫目前仍落后于全球领先企业。但任何关于其技术突破的消息，都可能显著影响投资者对于全球存储巨头竞争优势的判断。

分析师表示，如果长鑫真的实现了4F²技术突破，意味着它将在三星和SK海力士之前达到这一技术门槛。

晨星分析师表示：“如果长鑫能够成功并提前将4F²架构应用于DRAM生产，将大幅提升其相对于竞争对手的竞争地位。不过，存储行业龙头以及半导体设备制造商此前都强调过这一技术转型的难度。因此，我们仍预计，从长鑫发布4F²产品到实现具有商业价值的良率量产之间，会存在较长时间差。”

根据汇丰银行此前发布的一份报告，长鑫在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的份额已经提升至约10%，而一年前约为4%。

花旗分析师在8月的一份报告中表示：“如果这些产品进入欧洲等其他地区的数据中心市场，仍可能间接影响美光。”

今年7月，《金融时报》援引知情人士报道称，苹果已经开始测试长鑫生产的DRAM芯片，用于在中国销售的设备，并正在游说美国政府允许更广泛地使用该公司的产品。

不过，分析人士指出，长鑫此次突破暂时不会对三星、SK海力士和美光在高带宽内存（HBM）领域的主导地位构成直接威胁。但这一事件显示，长鑫正在存储产业更广泛的技术领域逐步追赶全球领先企业。

Counterpoint Research高级分析师崔正久表示：“如果长鑫能够在2026年底前利用4F²架构生产产品，这将是一个重要里程碑。能否稳定提升量产良率，并建立商业供应规模，将成为这项新技术成功的关键。”

他表示，这可能“成为一个很好的案例，展示中国半导体生态系统不断增强的自主能力和技术水平”。

中国基金报记者 泰勒

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