据悉，2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月份在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。硅衬底项目的主要参与人员孙钱表示，从国家战略层面讲，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业。

　　据上海证券报12月22日消息，与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

　　16日国务院常务会议通过2015年度国家科学技术奖评选结果，根据此前的初评公示及历史经验判断，2015年国家技术发明一等奖有望被 “硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”夺取，因为这是本年度唯一一个入选该奖项初评一等奖的项目。

　　“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、晶能光电(江西)有限公司的孙钱等人。

　　项目资料显示，该项目率先攻克硅基相关难题，所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位，并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平；并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术，自成体系；该项技术已经申请或拥有国际国内专利232项，其中已授权发明专利127项，实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。

　　据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外首创的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术领先水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。

　　“硅衬底技术确实应该获得这个大奖，他打破了日美国家在这个领域的技术垄断，这是国家大力支持科技发明的体现。”一位接近国务院高层的产业经济学家如此评价。

　　LED芯片衬底主要有三条技术路线：碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底。其中，前者走的是“贵族路线”，成本高昂，其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中，成本较低，这是目前市场上的主流路线；但蓝宝石晶圆散热较差，晶体垂直生长困难很难做到大尺寸、无法制作垂直结构的器件，衬底也较难剥离。而第三条路线就是中国自主发展起来的硅衬底技术，它弥补了前两大技术路线之不足。

　　“蓝宝石技术发明者曾获2014年诺贝尔物理学奖，从这个角度而言，硅衬底技术获得中国国家技术发明一等奖的可能性很大。”有LED产业人士如此表示。

　　上述业内人士表示，硅衬底项目的重大创新意义在于：硅基氮化镓技术是中国自主研发、拥有完全自主知识产权的技术路线，将构建中国LED产业标准，凸显产业后发优势；这一技术也将获得国家的大力支持与推广，对我国的LED产业格局有望产生革命性的影响。

　　孙钱表示，从国家战略层面讲，硅基氮化镓技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业；从产业层面讲，基于硅材料的价格低廉和易于获取、硅基氮化镓技术的优势，利用成熟的集成电路产能，可以推动从设备到芯片、封装等全产业链成本大为下降。“硅基氮化镓技术接下来应该会得到国家相关政策的进一步扶持和支持，这对LED整个产业链都将会有巨大的影响，我们非常期待这些政策的落地。”孙钱如此说。A股中联创光电、雪莱特等上市公司，涉及LED相关业务。

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