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2020-12-3 10:26 604次浏览

国家存储器基地项目二期开工有望带动设备投资

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6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新(5.850,0.00,0.00%)区开工。该项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，一期项目规划产能每月10万片，二期将达到20万片，总体投资240亿美元。项目一期于2016年底开工建设，32层、64层存储芯片产品现已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进... 阅读全文

2020-6-22 14:02 599次浏览