国内储存芯片赛道分两类：DRAM（易失）和NAND Flash（非易失）。龙头看三家：

1. 长江存储（YMTC）：国家大基金+湖北省国资，武汉基地已量产128层3D NAND，下游SSD已批量给联想、惠普，技术追平三星/铠侠，但受美制裁后扩产节奏放缓，资本开支依赖国产设备替代进度。

2. 长鑫存储（CXMT）：专攻DRAM，19nm DDR4/LPDDR4已规模出货，17nm在验证，合肥国资+大基金二期输血，产能规划30万片/月，但专利绕开美光仍有诉讼风险。

3. 兆易创新（603986）：Fabless模式，NOR Flash全球第三，DRAM由长鑫代工，MCU+存储双轮驱动，毛利率40%+，周期性弱于制造端，适合二级市场波段操作。

投资逻辑：制造端（长江、长鑫）看国产替代+政策补贴，但重资产、折旧高，需跟踪设备国产化率；设计端（兆易）看产品迭代+客户绑定，估值弹性大。短期关注大基金三期落地节奏，中长期紧盯28nm以下DRAM和200层以上NAND技术突破。

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