HBM（High Bandwidth Memory），即高带宽内存，是一种新型的存储技术，与传统的普通芯片（如DDR4）有一些区别。

1. 存储结构：HBM芯片采用了3D堆叠技术，将多个DRAM芯片层叠在一起，形成了一个存储堆结构，而普通芯片是以平面结构排列的。

2. 带宽：HBM芯片具有更高的带宽。由于多个DRAM芯片以垂直堆叠的方式连接在一起，可以提供更大的数据传输通道，因此能够实现非常高的带宽。

3. 低能耗：相比普通芯片，HBM芯片具有更低的能耗。由于HBM芯片的存储单元更加紧密，数据访问的距离更短，功耗更低。

4. 集成度：HBM芯片的集成度更高。由于采用3D堆叠技术，HBM芯片可以更高效地连接到处理器或图形芯片上，提供更大的存储空间，而普通的芯片则需要更多的占用板载空间。

综上所述，HBM存储芯片相比普通芯片在带宽、能耗和集成度等方面有一定的优势，适用于高性能计算和图形处理等领域的应用。