在先进制程进展方面,中芯国际成果斐然。在2025年10月7日,其在先进制程工艺领域取得重要进展,7nm工艺良率已突破90%,并进入小批量试产阶段。公司凭借独特的技术路径和持续创新,采用DUV多重曝光技术实现了7nm工艺的突破,这种技术路线虽比EUV光刻机复杂30%、成本高50%,但为技术追赶提供了可行路径。
中芯国际的7nm工艺(N+2)在性能和功耗上有显著提升,与14nm制程相比,N+2工艺性能提升了35%,功耗降低50%,晶体管密度达到每平方毫米8000万,这不仅为国产AI训练芯片的量产提供有力支持,也为5G通信、汽车电子等关键应用领域带来新机遇。
此外中芯国际计划到2027年将7nm及以下工艺总产能提升至8万片/月,还在积极探索3D封装等替代技术路线,以应对设备限制和专利壁垒等挑战。
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发布于2026-1-5 09:36 广州



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